Ege Üniversitesi Güneş Gücü Enstitüsü Güç Teknolojisi Anabilim Kısmı Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’nun yürütücülüğünü yaptığı “ Yeni Kuşak, Kurşunsuz Yüksek Performanslı FET’ler İçin Bizmut Tabanlı Yarı İletkenler” başlıklı proje TÜBİTAK -ARDEB “1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı” kapsamında takviye almaya hak kazandı.
Ege Üniversitesi Güneş Gücü Enstitüsü Güç Teknolojisi Anabilim Kısmı Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’nun yürütücülüğünü yaptığı “ Yeni Jenerasyon, Kurşunsuz Yüksek Performanslı FET’ler İçin Bizmut Tabanlı Yarı İletkenler” başlıklı proje TÜBİTAK -ARDEB “1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı” kapsamında dayanak almaya hak kazandı.
Ege Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Necdet Budak, Proje Yürütücüsü Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’yu makamında ağırlayarak tebrik etti. Rektör Prof. Dr. Necdet Budak, “Tam kurumsal akreditasyona sahip, öğrenci odaklılıkta ödüllü, öncü araştırma üniversitemizde oluşturduğumuz örnek bilim üretme ekosistemimiz bünyesinde misyon yapan araştırmacılarımızın yürütücülüğünü yaptığı nitelikli projeler ulusal ve milletlerarası kurum ve kuruluşlardan takviye görmeye devam ediyor. Global standartlarda araştırma geliştirme ve inovasyon faaliyetlerine mesken sahipliği yapan üniversitemiz çatısı altında, proje hazırlama, müracaat yapma, patent ve ticarileşme hususlarının sürdürülebilir hale geldiğini ve bir kültüre dönüştüğünü müşahede ediyoruz. Mensuplarımızla birlikte üniversitemizi daha güzele taşımak, yalnızca ülkemizde değil tüm dünyada tercih edilen, örnek gösterilen bir üniversite olmak için var gücümüzle çalışmayı sürdüreceğiz. TÜBİTAK-ARDEB programı kapsamında projesi desteklenen öğretim üyemizi kutluyor, muvaffakiyetlerinin devamını diliyorum” dedi.
“Yenilikçi elektronik aygıtlar geliştirilecek”
Araştırmanın içeriği ile ilgili bilgi veren Proje Yürütücüsü Ege Üniversitesi Güneş Gücü Enstitüsü Güç Teknolojisi Anabilim Kolu Dr. Öğr. Üyesi Adem Memnun ise “Yenilikçi elektronik aygıtlar geliştirme yolunda kıymetli bir adım atıyoruz. Projemiz, etraf dostu ve yüksek performanslı alan tesirli transistörler (FET) üretmeyi amaçlayan, metil amonyum bizmut iyodür (MBI) ve gümüş bizmut iyodür (ABI), yarıiletkenleri üzerine odaklanmaktadır. Bizmut tabanlı bu yeni kuşak yarıiletkenler, daha stabil ve toksik olmayan yapılarıyla kurşun bazlı materyallere güçlü bir alternatif sunmaktadır” diye konuştu.
“Çevre dostu ve yenilikçi bir proje”
Projenin gayesi ve gayelerini sıralayan Dr. Öğr. Üyesi Adem Keyifli, “MBI ve ABI ince sinemaları kullanarak, etraf dostu çözücülerle üretilen yüksek performanslı transistörler geliştirmeyi hedefliyoruz. Bizmut tabanlı materyallerin, yüksek performanslı transistörler için güçlü bir aday olduğunu göstererek etraf dostu yeni gereç uygulamalarının önünü açmayı hedefliyoruz. Üreteceğimiz FET’lerin yüksek mobilite ve düşük histeresis özellikleri ile öne çıkmasını planlıyoruz” dedi.
Araştırmanın formülünden bahseden Dr. Öğr. Üyesi Adem Keyifli, “Proje kapsamında, transistör uygulamaları için yeni jenerasyon yarıiletken yapıların geliştirilmesine odaklanmaktadır. Metilamin (MA) gazı kullanılarak MBI yapısını oluşturacak ve farklı Ag/Bi molar oranlarıyla ABI rudorffite yapılarını hayli kolay usullerle elde ettikten sonra altlıklar üzerine kaplayarak FET üretiminde etkin yarıiletkenler olarak kullanılacaktır. Çalışmada, çözelti hazırlama, ince sinema kaplama, termal süreç ve elektriksel karakterizasyon prosedürleri ayrıntılı olarak incelenecektir. Elde edilen sonuçlar, ileri elektronik aygıtlar için bizmut tabanlı toksik olmayan materyallerin potansiyelini açığa çıkaracaktır” diye konuştu.
“Elektronik dünyasında yeni bir alan açılacak”
Proje kapsamında pek çok yeniliği literatüre ve bilim dünyasına sunacaklarına tabir eden Dr. Öğr. Üyesi Adem Keyifli, “Çevre dostu çözücülerle üretilen MBI ve ABI yapıları, yeşil elektronik alanında kıymetli bir adım atmamızı sağlayacaktır. Transistörlerin, yüksek yük taşıyıcı mobilite ve Ion/Ioff akım oranı ile yüksek performans sergilemesi beklenmektedir. Projemiz ile bizmut tabanlı materyallerin transistör uygulamalarındaki potansiyelini ortaya koyarak, yeni jenerasyon elektronik aygıtların geliştirilmesine öncülük edilecektir. Bu proje, yalnızca bilimsel manada değil, tıpkı vakitte etraf dostu teknolojilerin geliştirilmesine de katkı sağlayacak. Kurşunsuz ve toksik olmayan MBI ve ABI yarıiletkenlerinin kullanımı, elektronik dünyasında yeni bir alan açacak. Projemizle birlikte, geleceğin daha pak ve verimli elektronik dünyasına katkı sağlamayı hedefliyoruz” dedi.
Kaynak: (BYZHA) Beyaz Haber Ajansı
